PDF문서NY CREATES Capabilitities.pdf

닫기

background image

New York Center for Research, Economic Advancement,  

Technology, Engineering and Science

Albany 300mm Fab Facilities and Technology

Brett Baker-O’Neal (bbaker-oneal@ny-creates.org), Frank Tolic (ftolic@ny-creates.org)


background image

2

SUNY RF / NY CREATESConfidential

NY CREATES

New York Center for Research, Economic Advancement,  

Technology, Engineering and Sciences

• NY CREATES accelerates next generation semiconductor technology 

research and develops the workforce to support the innovation economy

Mission

Infrastructure  

and Ecosystem

• 20+ year history of public-private R&D partnerships & investment

• Capital investment in excess of $15 billion

• 100k+ sq ft of 300mm cleanroom fabs – CSR, AMAT META, TEL TTCA

Technology  

Enablement
Engagement  

Models

Partners

and more

• Logic node range: 2nm nanosheet transistors  65nm Photonics derivatives

• Novel memory, neuromorphic computing, quantum computing

• Heterogeneous Integration and Packaging
• Development Agreement, Development Associates, Wafer Processing

• Custom Fabrication, Test Evaluation, Product and Services Purchase


background image

World-Class Capabilities at NY CREATES

ASML TWINSCAN NXE:3400

300mm Si Fab Capabilities – Ful -flow FEOL and BEOL

Failure Analysis

Inline Metrology and Defectivity

Cu BEOL

C24P48

ASML TWINSCAN NXT:1950i

Heterogeneous Integration (HI) Fab Center

• Fusion Bond, Die-to-Wafer Bond, Temp Bond, Debond

• Post-bond Grind and Bond Test

• Bump Metallization

• TSV integration

Cu bond pads

TEOS / Cu hybrid bond

TSV

Bosch etch

HAR Etch into Oxide

Silicon  

Pillar  

Etch

AFM

Offline Metrology

XRD

CMP

METALS

METROLOGY

RIE

LITHOGRAPHY

WETS

THERMAL

EUV

INSULATORS

epi


background image

Technology Development at NY CREATES

ReRAM

TEM of 1T1R integration of HfO2 RRAM devices and inset of EDX  

compositional analysis of ReRAM stack

J. Hazra, M. Liehr, K. Beckmann, S. Rafiq and N. Cady

2020 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)

NbN devices for 4-probe measurement atcryogenic

temperatures

Cryogenic Tc Measurements

Soumen Kar, et. al., TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, VOL. 33, NO. 5, AUGUST 2023

Superconducting and Quantum Computing

Photonic Crystal Fabrication

Christopher L. Panuski, Nat. Photon. 16, 834–842 (2022)

Full-wafer photonic crystal  

fabrication in an optimized300  

mm foundry process. A wafer  

contains 64 complete reticles.

Mil ions of inverse designed PhC cavities. The before

(i) and after (i ) false-color (blue: metal l ; red:silicon;  

yellow: silicon dioxide; green: etch mask)  

transmission electron microscope cross-sections  

show how process optimization enables high-quality  

PhC lattices.

• CMOS/RRAM Hardware In-memoryComputing

• Used 8x8 1T1R arrays to perform flow-through computing for image  

pixel comparison / edge detection.

• Bitwise comparison of pixels results in robust image edge detection in  

both simulation and experimentally on 1T1R arrays.

Pixel Comparison in 8x8 1T1R Array

S. Rafiq, J. Hazra, M. Liehr, K. Beckmann, M. Abedin, J.S. Pannu, S.K. Jha, N.C. Cady.

Accepted - IEEE Transactions on Circuits and Systems – April 2021


background image

WWW.NY-CREATES.ORG

THANK YOU

Brett Baker-O’Neal, NY CREATES, Development Engineering, bbaker-oneal@ny-creates.org

Frank Tolic, NY CREATES, Business Development, ftolic@ny-creates.org