① 나노 시설·장비의 산학연 공동활용 촉진
② 첨단 시설 및 장비를 활용한 전문인력 양성
③ 연구성과의 실용화 및 중소ㆍ벤처기업지원 등
나노종합팹센터
유치 (KAIST)
과기정통부 직할
출연기관 편입
2002.7
2014.1
N-Facility 지정
(나노·반도체분야)
2019.12
300mm 반도체
테스트베드 구축
2021.2
연구동
팹동
시설지원동
3
테크니컬 그룹시스템
4
이용기관 및 응용산업별 지원 분포
반도체, 66%
소재, 15%
우주/항공/국방, 1%
정보통신, 1%
디스플레이, 12%
바이오/의료, 5%
연구소
106개(15%)
대기업
49개(7%)
중소기업
415개(60%)
대학교
123개(18%)
7,000
(41%)
7,682
(45%)
8,080
(46.5%)
8,356
(45%)
9,010
(46.9%)
5,700
(37%)
6,222
(36%)
6,848
(37.7%)
6,338
(38.1%)
6,344
(35.8%)
3,078
(23%)
2,604
(20%)
3,042
(15.8%)
3,200
(16.9%)
3,025
(17.3%)
2019
2020
2021
2022
2023
산업계
학계
연구계
5
Bridge
죽음의 계곡을극복하는가교
※ 스케일업 R&D투자전략(1.12) 관련
대학
, 출연연, 기업 기초원천R&D 결과 상용화 중개연구,
성능
/실증평가 지원 (4~6인치 → 8~12인치 스케일업 지원체계 구축)
1
층
패
터
닝
장
비
2
층
증
착
장
비
•
ArF excimer laser
•
DOE : 11EA type
•
Cymer Laser
•
Wafer size: 12”(notch)
•
Resolution : ≤ 70nm
•
OVL repeat : < 5nm
•
Slit Unif: < 0.35%
•
Lens Aber RMS< 1.8nm
•
3-COT, 3-BCT (bake 별도)
•
3-ITC, 6-DEV
•
Wafer size: 12” Wafer
•
PR RPM: 10-4000 rpm
•
Temp uniformity: ≤±1℃
•
Heat Treat Unit Control
•
Accuracy: ± 1℃
• Detection Method
: BSE direct detection
: Energy filter
• High Ip(max:500pA) Wafer Size :
12인치 Precision : 0.15nm
•
Throughput : 60WPH
•
Max. image pixel size
2048*2048
PR thickness : 9Point
Target : 900A
Std. Dev. 0.044
Coating 재현성 평가
BARC 2단 + PR thickness : 9Point
Target : 900A +180A +900A
Std. Dev. 0.27
EUV 18nm Pattern CD
Immersion 44nm Pattern CD
L/S 44nm Pattern 확인
•
3 Measurement Tools / 1System
Spectroscopic Ellipsometer,
Spectroscopic Reflectometer,
Stress Gauge
•
2 Load-ports, Single-Wafer
•
Wavelength : 190 ~ 800 nm
•
Measurement Range : 0 ~ 40 ㎛
•
CCP Type
•
2Mhz, 27Mhz, 60Mhz (RF Pulsing)
•
Dual Upper Electrode Temp Tuning
•
Etch rate (Oxide) : ~ 3000Å / min
•
Reliable Uniformity: <± 5%
•
Gas : O2, C4F8, C4F6, CH2F2
•
Oxide, Nitride, ACL etch
•
Power Source: Microwave 5kW
2 Chamber system, Automatic robot arm
handling system(Dual Pick available)
•
Temp range: 150 ℃ ~ 300 ℃
•
Ashing rate: > 13㎛ / min
•
Reliable Uniformity: <± 5%
•
Gas: O2, N2, H2N2
Im_BARC를 3상계 모델
기법을 적용하여 파장 영역
190nm~800nm 에서
Harmonic Oscillator 4개를
사용하여 해석한 결과
<Modeling result of the Im_BARC>
<Refractive index>
<Thickness>
✓ 44nm Line & Space Pattern Etch Set-up
< Structure >
✓ PR(Photo Resist),ACL(Amorphous Carbon Layer) Strip Condition Set-up
44.61nm
44nm Oxide L/S Pattern
<Vertical Profile>
< Top-view>
Strip
ACL + Oxide Pattern
• Low damage
• ACL Residue Free
Oxide Pattern
•
Sensitivity : 35nm
•
Throughput : 18 WPH
•
Inspection optic : Bright & Dark
•
Wafer size: 8’’ & 12”
•
Automatic Defect Classification
•
Bare Wafer Inspection
•
Illumination : Oblique (15°, 30°)
100nm 이하급 defect inspection
•
High aspect ratio pattern gap-
fill (Oxide)
•
Top mount remote plasma
source Clean
•
FOCUS Source Technology for
Gap-fill Extendibility
•
One process kit for all
applications : STI/USG
부품
16
장비
■ 고객사 평가
- 고객사 Wafer Demo 결과 19개 항목 Qual. Pass
S社 양산평가 결과
17
소재
18
소재
→ NNFC 노광 평가 및 접촉각 평가
19
[300mm ONO 적층 및 패턴의 단면도 ; 100단 ONO multi-stack 구조의 150nm Line 패턴을 구현]
NNFC
20
IMEC
NNFC
[SADP 기술로 형성된 CD-SEM 사진 및 단면 TEM]
·IMEC은 자사 EUV장비를 활용하여 38nm 미만 미세패
턴 공정을 평가, 제작 중
·300mm 구축 장비만을 활용하여 ArF Immersion의 구현 가능한 40nm 패턴을 기반으로 20nm 1:1Pitch Line 패턴을 구현
·미세패턴 제작 플랫폼 기반기술 확보
21
FIB
TEM
SEM
SPM
D-SIMS
TOF-SIMS
APT
XPS
Probing 불량분석
전처리
Delayer
