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나노종합기술원

national nanofab center

0.13㎛ Technology

분야 반도체
집적공정플랫폼
  • 기술명

    0.13㎛ CMOS 플랫폼 기술

  • 개요

    차세대 집적기술에 근간기술로 제공하기 위한 8인치 기반 0.13㎛ CMOS 플랫폼 기술

  • 기술적 특징

    나노종합기술원은 0.18㎛ CMOS 플랫폼 기술을 구축 하였으며, 상위 기술 노드로의 고도화를 위한 8인치 기반의 0.13㎛ CMOS 플랫폼 기술을 개발하고자 함. 0.13㎛ CMOS 플랫폼 기술은 다수의 신규 장비투자없이 기술이 가능하며 타 기술 노드보다 0.13㎛ CMOS 기술을 빠르게 구축 제공함이 가능하여 기술 수요자들의 니즈를 만족시킬 수 있을 것임.

  • 기술적 장점

    • 0.13㎛ CMOS 플랫폼 기술은 시장에 도입된지 상당히 많은 시간이 지난 대표적인 숙성 공정기술이지만, 현재까지도 많은 시스템반도체를 개발하는 상용파운드리의 다양한 제품군에서 폭넓게 활용 되는 중점 기술 노드로 그 활용도가 높음.
    • RF, Image Sensor, Mixed-Signal, IGBT등 국내 대표적인 파운드리 제품군에서 0.13㎛ CMOS 플랫폼은 다수의 제품군에 활용할 수 있는 플랫폼 기술로 팹리스 업체 및 파운드리를 필요로 하는 기업에서는 해당 기술이 폭넓게 제공 될 수 있으며 그 활용이 다양함.
    • 또한, 융합직접 및 단일집적 기술개발을 위해 제공되는 신소자 융합 및 소자 검증용 근간 기술로 활용 가능함.
  • 기술의 적용분야

    차세대 IT 산업에 주목 받고 있는 IoT, Automotive, 지능형 반도체 시장에 사용되고 있는 다양한 제품, 비즈니스 모델 사업화 전략에 확대 가능. 기술수요자(산/학/연) R&D 공정 서비를 제공하여 차세대 팹리스-파운드리 간 유연 기술 협력 모델 구축 가능. 지능형반도체 하부 CMOS Transistor를 적용한 Selector 구성 가능.

  • 서비스 가능 범위 및
    기술수준

    • 200mm 실리콘 기반 0.13㎛ CMOS 기술 서비스 지원
    • 1 Poly 5 Metal Process and MIM Capacitor
    • Core: 1.2V[N/PMOS] 및 IO: 3.3V[N/PMOS]
    • Dual Gate Oxide and Poly-Si
    • Oxide/Nitride/Oxide 구조의 Spacer
    • Cobalt Silicide
    • Al 및 Ti/TiN Barrier 로 구성된 배선
    • USG 및 Low-K PMD 층 구성
  • 담당자 연락처

    담당자 이원철
    연락처 042-366-1614
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