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나노종합기술원

national nanofab center

Thick MEMS

분야 MEMS 플랫폼
  • 기술명

    DRIE공정을 통해 Si기판의 Bulk Micromachinging에 의한 Thick MEMS공정 플랫폼

  • 개요

    Si, SOI, SOG 기판을 활용한 고종횡비의 Si 구조물을 제작하여 관성, 가스, 압력센서에 적용할 수 있는 공정플랫폼입니다.

  • 기술적 특징

    • 상부에 Membrane 및 전극이 형성된 Si기판의 Backside 식각을 통하여 다양한 물리화학적 특성을 측정할 수 있는 센서제작이 가능합니다.
    • 일정한 두께의 Si희생층을 가지는 SOI, SOG기판을 활용한 고종횡비 Si구조물을 제작하여 물리화학적 특성을 측정할 수 있는 센서제작이 가능합니다.
    • 기판 및 Membrane소재, Si구조물 형상은 자유자재로 변경이 가능합니다.
  • 기술적 장점

    • 8인치 기반의 공정 서비스를 제공하여 높은 생산성과 다양한 종류의 소자를 제작 할 수 있습니다.
    • 단결정 Si 구조물과 고균일 DRIE공정을 통해 고신뢰성, 고수율의 센서제작이 MEMS소자 제작이 가능합니다.
    • 초고정밀 노광공정을 통해 초소형 소자제작이 가능합니다.
  • 기술의 적용분야

    • Si Backside식각을 통한 MEMS 센서: 가스, 압력 센서 등
    • SOI, SOG 기판을 활용한 MEMS 센서 : 관성, 가스 센서 등
  • 서비스 가능 범위 및
    기술수준

    • 8“ Si Backside DRIE : Membrane 소재(SiOx, SiNx 등)
    • SOI, SOG 기판 DRIE : BOX, Si Film두께는 Customized
    • Top CD : 100nm ~ 100um
    • AR : 50:1
    • ER :1~5um/min
  • 담당자 연락처

    담당자 이주범
    연락처 042-366-1571
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