본문 바로가기 대메뉴 바로가기

나노종합기술원

national nanofab center

Thin MEMS

분야 Thin MEMS
  • 기술명

    AlN 박막기반 MEMS공정 플랫폼

  • 개요

    C-축으로 배향된 AlN박막의 압전특성을 활용한 초음파 변환자/공진기반 센서 플랫폼입니다.

  • 기술적 특징

    • 압전 AlN결정성을 위하여 seed 층 증착 및 Mo전극을 사용하는 것을 특징으로 하고 있습니다.
    • 공정 중 발생하는 AlN박막의 손상을 최소화 하기 위하여 TMAH를 사용하지 않으며 건식식각공정을 활용한 1 um의 AlN박막 패터닝을 수행합니다.
    • Silicon backside에서 DRIE공정을 수행하여 소자의 공진을 발생할 수 있게 합니다.
  • 기술적 장점

    • 8인치 기반의 공정 서비스를 제공하여 높은 생산성과 다양한 종류의 소자를 제작 할 수 있습니다.
    • AlN박막의 높은 uniformity와 0.5 % (1 sigma) 낮은 잔류응력 (40>MPa)로 균일한 성능의 MEMS소자 제작이 가능합니다.
    • 높은 결정성 (Rocking curve FWHM 1.2 degree미만)으로 높은 압전 성능을 기대할 수 있습니다.
  • 기술의 적용분야

    • MEMS 센서: 초음파 영상자, 초음파 거리센서, 초음파 가스센서, 바이오 센서
    • 박막기반 공진기/필터: AlN의 높은 음향속도로 인하여 5G에 사용될 수 있는 FBAR 및 필터 제작에 사용될 수 있습니다.
  • 서비스 가능 범위 및
    기술수준

    나노종합기술원에서는 AlN기반의 박막형 MEMS 공정기술을 제공할 수 있는 능력을 갖추고 있으며, 다음과 같은 범위와 기술수준에서 서비스가 가능합니다.
    : 200 mm SOI WAFER기반 박막형 AlN MEMS 시작품 개발 지원

  • 관련 이미지