장비소개
반자동 진공 프로브스테이션
Semi-auto Probe Station (FORM FACTOR, PAV200)- 8 inch wafer level loading
- Auto align & Auto wafer mapping
- CP Yield test
| 반자동 진공 프로브스테이션 Semi-auto Probe Station (FORM FACTOR, PAV200) | |
|---|---|
| Vacuum Level | ~10e-5 bar |
| Operating Temperature | - 60 to 300℃ (resolution 0.1℃) |
| XY movement Zone | ≤200x200㎟ |
| Z movement Zone | ≥24㎜ |
후면광자 검출장비
Inverted Photon Emission Microscope 센서 및 반도체 등의 소자에서 발생하는 누설전류 관련 불량 및 50nm이하 패키지 소자의 불량 위치를 검출하기 위한 장비- 소자 불량에 대한 전기적 특성 검증, 반도체 및 공정에서 발생하는 패턴관련 불량 위치 검출
- Chip 후면의 패턴 관찰, 불량이 발생된 위치를 정확히 검출
| 후면광자검출장비 |
|---|
| 1K InGaAs 카메라 (LN2 냉각 타입) |
| Thermo Dynamic 카메라 |
| 레이저 스캔 시스템 |
| 후면 관찰이 가능한 12inch manual probe system |
| Microscopte stage with motoroized X_Y_Z stage 및 정밀 포지셔너 |
| IR OBIRCH 기능 지원 |
| Nano Lens-WR (SIL Lens) 초고해상 이미지 |
| 전기특성분석을 위한 계측기 지원 |
웨이퍼 레벨 고분해능 삼차원 엑스레이 현미경
(ZEISS, Xradia 620 Versa) X-ray를 이용한 비파괴 방식으로 내부구조, 기공, 결함영역 등의 3D 가시화 또는 2차원 단면상 관찰/단면상을 재구성하여 고분해능 3D 구조 분석 가능- 부품 소재/제품 등의 구조, Polymer의 기공 size, 세라믹 제품 및 복합소재, Crack/용접 부위, 마이크로 fiber composite 등의 이미징, 공정과정에서의 변화 (전/후) 등을 관찰
- Chip 후면의 패턴 관찰, 불량이 발생된 위치를 정확히 검출
| 고해상도 3D X선 단층 촬영 현미경 시스템 | |
|---|---|
| Spatial resolution | 500 nm |
| Min. achievable voxel size | 40 nm |
| Resolution at a distance (50mm) | 1.0 ㎛ |
| Objectives | 0.4X / 4X / 20X / 40X FPX (Flat pannel extension) |
| Detector | Scintillated detectors with microscope objective lens |
| Resolution | HART (High aspect ratio tomography) |
| Scan type | Dual scan contrast visualizer (Dual energy) |