0.18㎛ Technology
분야
반도체
집적공정플랫폼
집적공정플랫폼
-
기술명
180nm CMOS 기술
-
개요
180nm CMOS 일괄공정 플랫폼
-
기술적 특징
180nm CMOS 기술을 이용한 시스템반도체 일괄공정 지원 플랫폼 구축 및 산․학․연 MPW 제작 지원을 통한 시스템반도체 기업 및 차세대반도체 R&D에 기여
-
기술적 장점
- 180nm CMOS FEOL 모듈공정 안정화
- TEG 설계
- STI(Sallow Trench Isolation) & Well 모듈 최적화
- Gate(Dual Gox, Poly-Si) 모듈 최적화
- LDD & SD Junction 모듈 최적화
- Silicide(Co Salicide) 모듈 최적화
- 180nm CMOS 일괄공정 플랫폼 구축
- 리소그래피 Tool 간 Align 정합을 위한 Mix-and-Match Key 배치 방안 도출
- 전기적 특성 평가 용 Auto PCM 측정 Setup
- NMOS / PMOS 트랜지스터 동작특성 확보
- 180nm CMOS 일괄공정 플랫폼 PDK 구축
- 180nm CMOS FEOL 모듈공정 안정화
-
기술의 적용분야
- 산ㆍ학ㆍ연 R&D 수요 피드백에 기초한 개방형 MPW 서비스를 제공하여 차세대 팹리스-파운드리 간 유연 기술협력 모델 구축
- 미래수요 형 특화 소재/소자/공정기반의 기술 라이브러리를 제시하여 수요기업의 조기 기술사업화를 위한 테스트베드로서의 역할 수행
- 플랫폼기술 라이브러리와 체계화된 공정설계키트(PDK)를 기반으로 제품 제조 전 단계에서 기술 검토 및 설계검증을 지원함으로써 수요기업의 상용화 기간 단축 및 비용 절감에 기여
-
서비스 가능 범위 및
기술수준- 200 mm 실리콘 기반 180nm CMOS 개방형 MPW 서비스 가능
- Poly / Metal : 1 Poly / 6 Metal
- Well : P-sub, Retrograded Twin Well
- Isolation : STI (Shallow Trench Isolation)
- Gate Oxide : NO (Nitirded Oxide)
- Gate Electrode : Dual Gate Oxide, Poly-Si
- Silicide : Co-Salicide
- PMD : PE Nitride / BPSG / PETEOS
- Contact : W-wiring
- Metallization : Ti / Al / Ti / TiN
- IMD : HDP / PE TEOS
- Planarization : Oxide CMP & W CMP
- Passivation : HDP / SiN
-
담당자 연락처
담당자 서동주연락처 042-366-1612이메일 sdj0162@nnfc.re.kr -
관련 이미지
MPW 구축단계 (2020 ~ 2021)- Value Chain :제품 설계(Design) Design House : PDK 구축
- Value Chain : 위탁 생산(Foundry) NNFC : MPW Platform 구축
- Value Chain : 조립, 검사(Package & Test) PKG : 소량다품종 환경 구축
180nm 기반 MPW 서비스로 한국나노기술원, 나노종합기술원에서 서비스합니다.
- Fab-iite / Fabless 업체
- 공공파운드리 역할 정립으로 시스템반도체 생태계 활성화
- 국외 기술 의존도↓, 국내 기술 자립도↑
- 국내 학교 · 연구소
- 시스템반도체 설계인력 고도화 지원
- 원천기술 제품화 개발 지원